解決方案
      
		
	半導體行業(yè)碳化硅長晶爐應用案例
2025-06-26
    物理氣相傳輸法(PVT)是制備碳化硅(SiC)晶體的主流方法之一,PVT法生長SiC單晶,溫度高達2300℃,生長過程需嚴格控制生長溫度梯度,其溫度控制系統(tǒng)為閉環(huán)控制,由紅外測溫儀、溫控器、加熱電源以及加熱器(感應線圈)組成。
物理氣相傳輸法(PVT)是制備碳化硅(SiC)晶體的主流方法之一,PVT法生長SiC單晶,溫度高達2300℃,生長過程需嚴格控制生長溫度梯度,其溫度控制系統(tǒng)為閉環(huán)控制,由紅外測溫儀、溫控器、加熱電源以及加熱器(感應線圈)組成。
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相關(guān)解決方案
2025.06.26
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2025.06.26
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2025.06.26
    在真空爐設備,用于電子材料的合成、?燒結(jié)、?退火等工藝。電子元器件的性能和穩(wěn)定性受到溫度的直接影響,因為它們的材料性質(zhì)和內(nèi)部構(gòu)造對溫度變化非常敏感。
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2025.06.26
    在真空爐設備,用于電子材料的合成、?燒結(jié)、?退火等工藝。電子元器件的性能和穩(wěn)定性受到溫度的直接影響,因為它們的材料性質(zhì)和內(nèi)部構(gòu)造對溫度變化非常敏感。
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